GSGG кристаллары

GGG / SGGG / NGG Гарниталар сыек эпитакси өчен кулланыла. SGGG субатратлары магнито-оптик фильм өчен махсус субстратлар. Оптик элемтә җайланмаларында 1,3u һәм 1.5u оптик изолятор куллануны күп таләп итәләр, аның төп компоненты YIG яки BIG фильмы. магнит кырына урнаштырылган.


  • Композиция:(Gd2.6Ca0.4) (Ga4.1Mg0.25Zr0.65) O12
  • Бәллүр структурасы:Кубик: a = 12.480 Å
  • Молекуляр wDelectric даими:968.096
  • Мелт Пойнт:30 1730 оС
  • Тыгызлыгы:~ 7.09 г / см3
  • Каты:~ 7.5 (мохнс)
  • Рекракив индекс:1.95
  • Диэлектрик даими: 30
  • Продукциянең детальләре

    Техник параметрлар

    GGG / SGGG / NGG Гарниталар сыек эпитакси өчен кулланыла. SGGG субатратлары магнито-оптик фильм өчен махсус субстратлар. Оптик элемтә җайланмаларында 1,3u һәм 1.5u оптик изолятор куллануны күп таләп итәләр, аның төп компоненты YIG яки BIG фильмы. магнит кырына урнаштырылган.
    SGGG субстраты бисмут белән алмаштырылган тимер гранат эпитаксиаль фильмнарны үстерү өчен бик яхшы, YIG, BiYIG, GdBIG өчен яхшы материал.
    Бу яхшы физик һәм механик үзлекләр, химик тотрыклылык.
    Кушымталар:
    YIG, BIG эпитакси фильмы;
    Микродулкынлы җайланмалар;
    GGG алыштырыгыз

    Сыйфат:

    Композиция (Gd2.6Ca0.4) (Ga4.1Mg0.25Zr0.65) O12
    Бәллүр структурасы Кубик: a = 12.480 Å,
    Молекуляр wDelectric даими 968.096
    Мелт Пойнт 30 1730 оС
    Тыгызлыгы ~ 7.09 г / см3
    Каты ~ 7.5 (мохнс)
    Рекактив индекс 1.95
    Диэлектрик даими 30
    Диэлектрик югалту тангенты (10 ГГц) ca.3.0 * 10_4
    Бәллүр үсеш ысулы Чохральски
    Бәллүр үсеш юнәлеше <111>

    Техник параметрлар:

    Ориентация <111> <100> ± 15 минут эчендә
    Дулкын фронтының бозылуы <1/4 дулкын @ 632
    Диаметр толерантлыгы ± 0.05 мм
    Озынлык толерантлыгы ± 0,2 мм
    Чамфер 0.10mm@45º
    Тигезлек <1/10 дулкыны 633нм
    Параллелизм <30 дуга
    Перпендикулярлык <15 дуга мин
    Faceир өсте сыйфаты 10/5 Сызу / казу
    Чистарту > 90%
    Кристалларның зур үлчәмнәре Диаметры 2,8-76 мм