Сызыксыз кристаллар

Горизонталь һәм вертикальне кертеп, үсү ысуллары, бу материаллар (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) бирелгән стандарт зурлыклар һәм юнәлешләр белән бар.Аларның кайберләре, зур булмаган сызыксыз коэффициент һәм уникаль үлчәмнәр белән, без SHG, THG һәм Урта Инфракызыл ОПО, ОПА системаларында һ.б. киң кулланыла, продуктлар Анодизацияләнгән Алюминий тоткыч белән яки аларсыз китерелергә мөмкин.

ГаСе Кристалл

Галиум Селенид (GaSe) сызыклы булмаган оптик бер кристалл, зур сызыксыз коэффициентны, зур зыян бусагасын һәм киң ачыклык диапазонын берләштерә.Бу IR уртасында SHG өчен бик яраклы материал.
ZGP (ZnGeP2) кристаллары

Зур сызыксыз коэффициентларга ия булган ZGP кристаллары, киң инфракызыл ачыклык диапазоны (0,75-12μм), югары җылылык үткәрүчәнлеге (0.35W / (см · К)), югары лазер зарар чикләре (2-5J / см2) һәм яхшы эшкәртү милеге, ZnGeP2 кристалл инфра-кызыл сызыксыз оптик кристалллар патшасы дип аталган һәм әле дә югары көч, көйләнә торган инфракызыл лазер җитештерү өчен иң яхшы ешлыкны әйләндерү материалы булып тора.Без югары оптик сыйфатлы һәм зур диаметрлы ZGP кристалларын бик түбән үзләштерү коэффициенты белән тәкъдим итә алабыз (<0,05 см-1 (насос дулкын озынлыкларында 2.0-2.1 µm), бу OPO яки OPA аша югары эффективлык белән урта инфракызыл көйләнә торган лазер ясау өчен кулланыла ала. процесслары.
AGSe (AgGaSe2) кристаллары

AGSeAgGaSe2 кристаллларының 0,73 һәм 18 мм диапазон кырлары бар.Аның файдалы тапшыру диапазоны (0,9-16 мм) һәм киң фазага туры килү мөмкинлеге төрле лазерлар белән суыртылганда OPO кушымталары өчен искиткеч потенциал бирә.2,5–12 мм эчендә көйләү Ho: YLF лазеры 2,05 мм белән суыртылганда алынган;шулай ук критик булмаган фазага туры килү (NCPM) 1,4–5.5 мм эчендә 1,4-1.55 мм насос ясаганда.AgGaSe2 (AgGaSe2) инфракызыл CO2 лазер нурлары өчен эффектив ешлыкны икеләтә кристалл итеп күрсәтте.
AGS (AgGaS2) кристаллары

AGS 0,50 дән 13,2 ммга кадәр ачык.Аның сызыксыз оптик коэффициенты күрсәтелгән инфракызыл кристалллар арасында иң түбән булса да, 550 нм озынлыктагы кыска дулкын озынлыгының ачыклыгы Nd: YAG лазеры белән суыртылган ОПОларда кулланыла;диод, Ti: Сапфир, Nd: YAG һәм IR буяу лазерлары белән 3–12 мм диапазонын үз эченә алган күптөрле ешлыклы экспериментларда;туры инфракызыл каршы чаралар системасында, һәм SH2 CO2 лазеры өчен.Нечкә AgGaS2 (AGS) кристалл тәлинкәләр ультратавыш импульсының уртача IR диапазонында популяр, NIR дулкын озынлыгы импульсларын кулланган аерма ешлыгы буенча.
BGSe (BaGa4Se7) кристалллары

BGSe (BaGa4Se7) югары сыйфатлы кристаллары - BaGa4S7 калькогенид кушылмасының селен аналогы, аның акцентрик орторомбик структурасы 1983 елда ачыкланган һәм 2009 елда IR NLO эффекты хәбәр ителгән, яңа эшләнгән IR NLO кристалл.Ул Bridgman - Stockbarger техникасы аша алынган.Бу кристалл 0,47–18 мм киң диапазонда югары тапшыруны күрсәтә, 15 мм тирәсендә үзләштерүнең иң югары ноктасыннан кала.
BGGSe (BaGa2GeSe6) кристалллары

BaGa2GeSe6 кристаллының оптик зарар чикләре (110 МВт / см2), киң спектраль ачыклык диапазоны (0,5-18 мм) һәм югары сызыксызлык (d11 = 66 ± 15 pm / V) бар, бу кристаллны бик җәлеп итә. лазер нурланышының ешлык (яки эчендә) урта диапазонына әверелүе.