Терахертц чыганаклары һәрвакыт THz радиациясе өлкәсендә иң мөһим технологияләрнең берсе булды. THz радиациясенә ирешү өчен күп юллар функциональ рәвештә исбатланды. Типик, телетроника һәм фотоника технологияләре.Фотоника бирелгәндә, зур сызыксыз коэффициентка нигезләнгән, сызыксыз оптик аерма-ешлык тудыру, югары оптик зыян бусагасы сызыксыз кристалл - THz дулкыны белән эшләүче югары көч, көйләнә торган, портатив һәм бүлмә температурасын алу ысулларының берсе.GaSe һәм ZnGeP2 (ZGP) сызыксыз кристаллар күбесенчә кулланыла.
Миллиметр һәм THz дулкында түбән үзләштерү булган GaSe кристаллары, югары бозылган бусага һәм югары икенче булмаган коэффициент (d22 = 54 pm / V), гадәттә Терахерт дулкынын 40μм эчендә эшкәртү өчен, шулай ук озын дулкынлы көйләнә торган Thz дулкыны (40μm артыграк).11.19 ° -23.86 ° [eoo (e - o = o)] матч почмагында 2,60 -39.07μm булганда көйләнә торган THz дулкыны, һәм 12.19 ° -27.01 ° [eoe (e) - o = e)].Моннан тыш, матч почмагы 1,13 ° -84,71 ° булганда [oee (o - e = e)] булганда, 42.39-5663.67μm көйләнә торган THz дулкыны алынган.
ZnGeP2 (ZGP) кристаллары югары сызыксыз коэффициентлы, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары оптик бозылган бусагасы шулай ук искиткеч THz чыганагы буларак тикшерелгән.ZnGeP2 шулай ук d36 = 75 pm / V) икенче сызыксыз коэффициентка ия, бу КДП кристалларының 160 тапкыр.ZGP кристалларының ике типтагы матч почмагы (1,03 ° -10.34 ° [oee (oe = e)] & 1.04 ° -10.39 ° [oeo (oe = e)]) охшаш THz чыгаруны эшкәртү (43.01 -5663.67μm) ,. oeo тибы яхшырак сайлау булуын исбатлады, чөнки югары эффектив булмаган сызыксыз коэффициент.Бик озак вакыт эчендә, ZnGeP2 кристаллларының Терахерц чыганагы буларак чыгышы чикләнгән, чөнки ZnGeP2 кристаллының башка тәэмин итүчеләрдән инфракызыл төбәктә (1-2μm) югары үзләштерүе бар: Абсорбция коэффициенты> 0.7cm-1 @ 1μm һәм> 0.06 см-1 @ 2μм.Ләкин, DIEN TECH ZGP (Модель: YS-ZGP) кристалларын супер түбән үзләштерү белән тәэмин итә: Абсорбция коэффициенты <0.35cm-1@1μm һәм <0.02cm-1@2μm.Алга киткән YS-ZGP кристаллары кулланучыларга күпкә яхшырак чыгаруга мөмкинлек бирә.
Сылтама:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 2008 差 2008 2008 2008 2008 2008 Чин.Физ.Соц.
