GaSe кристаллары
GaSe кристаллын кулланып, дулкын озынлыгы 58,2 ммнан 3540 ммга кадәр (172 см-1 дән 2,82 см-1) диапазонда көйләнде, иң югары көче 209 Втка җитте, бу THz чыгару көчендә сизелерлек яхшыртылды. 209 Ваттан 389 Ваттка кадәр чыганак.
ZnGeP2 кристаллары
Икенче яктан, ZnGeP2 кристаллындагы DFG нигезендә чыгу дулкыны озынлыгы 83.1–1642 мм һәм 80.2–1416 мм диапазонында көйләнде, ике этапка туры килгән конфигурацияләр өчен. Чыгыш көче 134 Втка җитте.
GaP кристаллары
GaP кристаллын кулланып, дулкын озынлыгы 71.1−2830 мм диапазонында көйләнде, иң югары көче - 15,6 ВВ. GaPe һәм ZnGeP2 өстендә GaP куллану өстенлеге ачык: дулкын озынлыгын көйләү өчен кристалл әйләнеше кирәк түгел. , бер катнашу нурының дулкын озынлыгын 15,3 нм га кадәр киңлек киңлегендә көйләргә кирәк.
Йомгаклау
0,1% конверсия эффективлыгы шулай ук насос чыганаклары буларак коммерцияле лазер системасын кулланып планшет системасы өчен ирешелгән иң югары күрсәткеч. GaSe THz чыганагы белән көндәшлек итә алган бердәнбер THz чыганагы - ирекле электрон лазер, ул бик зур. һәм зур электр көче куллана.Моннан тыш, буTHz чыганакларының дулкын озынлыклары квант каскад лазерларыннан аермалы буларак, бик киң диапазоннарда көйләнергә мөмкин, аларның һәрберсе тотрыклы дулкын озынлыгын барлыкка китерә ала. Шуңа күрә, киң көйләнә торган монохроматик THz чыганакларын кулланып тормышка ашырыла торган кайбер кушымталар булмас иде. субпикосекунд THz импульсларына яки квант каскад лазерларына таянса мөмкин.
