Yb: YAG кристаллары

Химик:Yb: ЯГ

Чыгыш дулкын озынлыгы:1.029 ум

Абсорбция төркемнәре:930 нм - 945 нм

Насос дулкын озынлыгы:940 нм

Эретү ноктасы:1970 ° C.

Тыгызлыгы:4.56 г / см3

Мох каты:8.5

Rылылык үткәрүчәнлеге:14 Вс / м / К @ 20 ° С.

WhatsApp Безгә электрон почта җибәрегез PDF итеп йөкләү

Продукциянең детальләре

Спецификация

Видео

Yb: YAG - иң перспектив лазер-актив материалларның берсе һәм традицион Nd-doped системаларына караганда диод-насос өчен кулайрак.Гадәттә кулланыла торган Nd: YAG крситалы, Yb: YAG кристаллының диод лазерларына җылылык белән идарә итү таләпләрен киметү өчен зуррак үзләштерү киңлеге бар, озынрак лазер дәрәҗәсе озынрак, насос көченә җылылык йөкләү өч-дүрт тапкыр түбән.Yb: YAG кристалл Nd: YAG кристаллын югары көчле диод-насослы лазерлар һәм башка потенциаль кушымталар өчен алыштырыр дип көтелә.
Yb: YAG югары көчле лазер материалы буларак зур вәгъдә күрсәтә.Металл кисү һәм эретеп ябыштыру кебек сәнәгать лазерлары өлкәсендә берничә кушымта эшләнә.Ybгары сыйфатлы Yb: YAG хәзер бар, өстәмә кырлар һәм кушымталар өйрәнелә.
Yb өстенлекләре: YAG Бәллүр:
• Бик түбән фракциональ җылыту, 11% тан ким
• Бик югары тау эффективлыгы
• Киң үзләштерү полосалары, якынча 8nm @ 940nm
• Дулкынланмаган дәүләт үзләштерү яки конверсия юк
• 940nm (яки 970nm) ышанычлы InGaAs диодлары белән уңайлы рәвештә суыртыла.
Highгары җылылык үткәрүчәнлеге һәм зур механик көч
• Optгары оптик сыйфат
Кушымталар:
• Насос киңлеге һәм искиткеч эмиссия кисемтәсе Yb: YAG - диод насослары өчен идеаль кристалл.
• Outгары чыгару көче 1,029 1 мм
• Диод насослары өчен лазер материалы
• Материалларны эшкәртү, эретеп ябыштыру

Төп үзенчәлекләр:

Химик формула	Y₃Al₅O₁₂: Yb (0,1% - 15% Yb)
Бәллүр структурасы	Кубик
Чыгыш дулкын озынлыгы	1.029 ум
Лазер	3 дәрәҗә лазер
Гомер буе чыгару	951 без
Рекактив индекс	1.8 @ 632 нм
Абсорбция төркемнәре	930 нм - 945 нм
Насос дулкын озынлыгы	940 нм
Насос дулкын озынлыгы турында абсорбция полосасы	10 нм
Эретү ноктасы	1970 ° C.
Тыгызлыгы	4,56 г / см³
Мох каты	8.5
Такталар	12.01Ä
Rылылык киңәйтү коэффициенты	7.8 × 10^-6/ К, [111], 0-250 ° C.
Rылылык үткәрүчәнлеге	7.8 × 10^-6/ К, [111], 0-250 ° C.

Техник параметрлар:

Ориентация	5 ° эчендә
Диаметр	3 мм - 10 мм
Диаметр толерантлыгы	+0.0 мм / - 0,05 мм
Озынлык	30 мм - 150 мм
Озынлык толерантлыгы	± 0,75 мм
Перпендикулярлык	5 дуга
Параллелизм	10 дуга
Тигезлек	0,1 дулкын максимум
Faceир өсте	20-10
Баррель Финиш	400 грит
Ахыр бевел:	45 ° почмакта 0,075 мм - 0,12 мм
Чипс	Таякның соңгы йөзендә чиплар рөхсәт ителми;максималь озынлыгы 0,3 мм булган чип бевел һәм баррель өслегендә ятарга рөхсәт ителә.
Чистарту	95зәк 95%
Катлам	Стандарт каплау - AR 1,029 см, R <0,25%.Башка капламалар бар.