Ярымүткәргеч THz кристаллары: ZnTe (incинк Теллурид) кристалллары <110> ориентациясе белән THz буыны өчен оптик ректификация процессы ярдәмендә кулланыла.Оптик ректификация - массакүләм мәгълүмат чараларында аерма ешлыгы барлыкка килү.Зур полоса киңлегенә ия булган фемтосекунд лазер импульслары өчен ешлык компонентлары бер-берсе белән үзара бәйләнештә торалар, һәм аларның аермасы 0 дән берничә THz кадәр киңлек киңлеген чыгара.THz импульсын ачыклау тагын бер <110> юнәлешле ZnTe кристаллында ирекле электро-оптик ачыклау аша була.THz импульсы һәм күренгән импульс ZnTe кристаллында коллинар рәвештә таралалар.THz импульсы ZnTe кристаллында бирефрингны китерә, аны поляризацияләнгән күренеп торган импульс укый.Күренгән импульс та, THz импульсы да бер үк вакытта кристаллда булганда, күренгән поляризация THz импульсы белән әйләнәчәк.Bal / 4 дулкын тәлинкәсен һәм балкып торган поляризаторны балансланган фотодиодлар җыелмасы кулланып, THz импульсына карата төрле тоткарлык вакытларында ZnTe кристаллыннан соң күренгән импульс поляризация әйләнешен күзәтеп THz импульс амплитудасын картага китерергә мөмкин.Тулы электр кырын укый белү, амплитуда да, тоткарлык та, THz спектроскопиясе вакыт доменының кызыклы үзенчәлекләренең берсе.ZnTe шулай ук IR оптик компонентлары субстратлары һәм вакуум чүпләү өчен кулланыла.
Төп үзенчәлекләр | |
Структура формуласы | ZnTe |
Такталар параметрлары | a = 6.1034 |
Тыгызлыгы | 110 |