GaP
Галлий фосфид (GaP) кристалл - инфракызыл оптик материал, яхшы өслек катылыгы, югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм киң диапазон тапшыруы.Оптик, механик һәм җылылык үзенчәлекләре аркасында, GaP кристаллары хәрби һәм башка коммерция югары технологияле өлкәләрдә кулланылырга мөмкин.
| Төп үзенчәлекләр | |
| Бәллүр төзелеш | Incинк Бленде |
| Симметрия төркеме | Td2-Ф43м |
| 1 смдагы атомнар саны3 | 4.94 · 1022 |
| Аугер рекомбинация коэффициенты | 10-30см6/s |
| Дебя температурасы | 445 К. |
| Тыгызлыгы | 4,14 г см-3 |
| Диэлектрик даими (статик) | 11.1 |
| Диэлектрик даими (югары ешлык) | 9.11 |
| Эффектив электрон массаml | 1.12mo |
| Эффектив электрон массаmt | 0.22mo |
| Эффектив тишек массаларыmh | 0.79mo |
| Эффектив тишек массаларыmlp | 0.14mo |
| Электрон якынлык | 3.8 eV |
| Такталар даими | 5.4505 А. |
| Оптик фонон энергиясе | 0.051 |
| Техник параметрлар | |
| Eachәр компонентның калынлыгы | 0,002 һәм 3 +/- 10% мм |
| Ориентация | 110 - 110 |
| Faceир өсте сыйфаты | scr-dig 40-20 - 40-20 |
| Тигезлек | дулкыннар 633 нм - 1 |
| Параллелизм | дуга мин <3 |
